Memoria para computador 8gb Ddr4 2666 Mhz CL18

Uma maneira rapida de melhorar o desempenho do seu computador, seja laptop ou desktop, e certamente adicionar mais memoria. A Samsung, empresa internacionalmente reconhecida com uma longa historia no mundo tecnologico, traz para voce o melhor em qualidade, velocidade e suporte com suas memorias ram. Fazer tarefas multiplas e trabalhar com varios aplicativos ao mesmo tempo sao duas atividades que vao de maos com a instalacao desta nova memoria. Apenas 5 minutos para voce instala-la e voce podera aumentar a capacidade multitarefa do seu computador.

Aumente o seu PC
Com sua tecnologia DDR4, ira melhorar o desempenho do seu dispositivo operando em 3 e 4 canais, gerando maior fluencia e velocidade na transferencia de dados. Otimize o desempenho do seu computador ao maximo!

Seu equipe como novo
Esta memoria e ideal para o seu Computadores de mesa. Instale-a e comece a desfrutar de uma operacao ideal!
Especificacoes:

- Fonte de alimentacao: VDD = 1,2 V tipica
- VDDQ = 1,2 V tipico
- VPP = 2,5 V tipico
- VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V
- Terminacao nominal e dinamica na matriz (ODT) para dados, strobe e sinais de mascara
- Inversao de barramento de dados (DBI) para barramento de dados
- Geracao e calibracao de VREFDQ na matriz
- Single-rank
- EEPROM de deteccao de presenca serial I2 on-board (SPD)
- 8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada
- Corte de burst fixo (BC) de 4 e comprimento de burst (BL) de 8 atraves do conjunto de registro de modo (MRS)
- Selecionavel BC4 ou BL8 on-the-fly (OTF)
- Topologia fly-by
- Comando de controle terminado e barramento de endereco
- PCB: Altura 1,23 ?(31,25 mm)
- Compativel com RoHS e livre de halogenio

Geral:
- CL (IDD): 19 ciclos
- Tempo de ciclo de linha (tRCmin): 45,75ns (min.)
- Tempo de comando de refresh (tRFCmin): 350ns (min.)
- Tempo de linha ativa (tRASmin): 32ns (min.)
- Classificacao UL: 94 V-0
- Temperatura de operacao: 0oC a +85oC
- Temperatura de armazenamento: -55oC a +100oC.

Conteudo da Embalagem:
- Memoria RAM